BLS6G2731-6G datasheet
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>> BLS6G2731-6G 射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl. datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLS6G2731-6G
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 6W, 2.7-3.1GHz Radar Appl.
BLS6G2731-6G PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
60 V
漏极连续电流
3.5 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT975C
封装
Bulk
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属性
链接
代理商
BLS6G2731-6G
BLS6G2731-6G,112
BLS6G2731P-200,117
BLS6G2731S-120
BLS6G2731S-120,112
BLS6G2731S-130
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
深圳市华盛锦科技有限公司
0755-23915071
雷小姐
深圳市佳斯泰科技有限公司
13410012158
廖女士
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
永利电子元器件深圳有限公司
18928437827
全迎
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
13041943973
小徐
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
甄芯网
0755-83665813
柯先生/赵小姐
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18020263256微信同号
牛保华
BLS6G2731-6G 参考价格
价格分段
单价(美元)
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